GMR 磁頭的使用了磁阻效應(yīng)更好的材料和多層薄膜結(jié)構(gòu), 這比以前的傳統(tǒng)磁頭和MR（Magneto Resisive）磁阻磁頭更為敏感, 相對的磁場變化能引起來大的電阻值變化, 從而實現(xiàn)更高的存儲密度.
某硬盤磁頭制造商采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 應(yīng)用于硬盤磁頭鍍制GMR磁頭導電材料和磁性材料薄膜構(gòu).
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 技術(shù)參數(shù)
|
Φ4 inch X 12片 |
基片尺寸 |
Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片 |
|
均勻性 |
±5% |
|
|
硅片刻蝕率 |
20 nm/min |
|
|
樣品臺 |
直接冷卻,水冷 |
|
|
離子源 |
Φ20cm 考夫曼離子源 |
Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-J 的核心構(gòu)件離子源采用的是伯東公司代理美國 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220
.jpg)
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù):
|
離子源型號 |
RFICP 220 |
|
Discharge |
RFICP 射頻 |
|
離子束流 |
>800 mA |
|
離子動能 |
100-1200 V |
|
柵極直徑 |
20 cm Φ |
|
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
流量 |
10-40 sccm |
|
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
|
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
|
長度 |
30 cm |
|
直徑 |
41 cm |
|
中和器 |
LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-J 的樣品臺可以 0-90 度旋轉(zhuǎn), 實現(xiàn)晶圓反應(yīng)面均勻地接受離子的轟擊, 進而實現(xiàn)提高晶圓的加工質(zhì)量.
若您需要進一步的了解詳細產(chǎn)品信息或討論 , 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式 :
上海伯東 : 羅先生 臺灣伯東 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯東版權(quán)所有, 翻拷必究！
