
介損測(cè)試儀闡述
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
BY-101B型異頻介損自動(dòng)測(cè)試儀是發(fā)電廠、變電站等現(xiàn)場(chǎng)或?qū)嶒?yàn)室測(cè)試各種高壓電力設(shè)備介損正切值及電容量的高精度測(cè)試儀器。儀器為一體化結(jié)構(gòu),內(nèi)置介損測(cè)試電橋,可變頻調(diào)壓電源,升壓變壓器和SF6 高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器。測(cè)試高壓源由儀器內(nèi)部的逆變器產(chǎn)生,經(jīng)變壓器升壓后用于被試品測(cè)試。頻率可變?yōu)?5Hz或55Hz,55Hz或65Hz,采用數(shù)字陷波技術(shù),避開了工頻電場(chǎng)對(duì)測(cè)試的干擾,從根本上解決了強(qiáng)電場(chǎng)干擾下準(zhǔn)確測(cè)量的難題。同時(shí)適用于全部停電后用發(fā)電機(jī)供電檢測(cè)的場(chǎng)合。
產(chǎn)品特性:
1、超大液晶中文顯示
儀器配備了大屏幕(105mm×65mm)中文菜單界面,屏顯分為左右兩部分,左邊為功能菜單區(qū),右邊為相關(guān)狀態(tài)信息提示,每一步都非常清楚,操作人員不需要專業(yè)培訓(xùn)就能使用。一次操作,微機(jī)自動(dòng)完成全過(guò)程的測(cè)量,是目前非常理想的介損測(cè)量設(shè)備。
2、海量存儲(chǔ)數(shù)據(jù)
儀器內(nèi)部配備有日歷芯片和大容量存儲(chǔ)器,能將檢測(cè)結(jié)果按時(shí)間順序保存,隨時(shí)可以查看歷史記錄,并可以打印輸出;
3、多種測(cè)試模式
儀器能夠分別使用正接法、反接法、CVT自激法等多種方式測(cè)試。
4、不拆高壓引線測(cè)量CVT
儀器可在不拆除CVT高壓引線的情況下正確測(cè)量CVT的介質(zhì)損耗值和電容值。
5、CVT反接屏蔽法測(cè)量C0
儀器可采用反接屏蔽法測(cè)量CVT上端C0的介質(zhì)損耗值和電容值。
6、高速采樣信號(hào)
儀器內(nèi)部的逆變器和采樣電路全部由數(shù)字化控制,輸出電壓連續(xù)可調(diào)。
7、多重保護(hù)安全可靠
儀器具備輸入電壓波動(dòng)、輸出短路、過(guò)壓、過(guò)流、溫度等多重保護(hù)措施,保證了儀器安全、可靠。儀器還具備接地檢測(cè)功能,確保不接地設(shè)備不允許升壓。
產(chǎn)品參數(shù):
1 | 使用條件 | -15℃∽40℃ | RH<80% |
2 | 抗干擾原理 | 變頻法 |
3 | 電 源 | AC 220V±10% | 允許發(fā)電機(jī) |
4 | 高壓輸出 | 0.5KV∽10KV | 每隔0.1kV |
精 度 | 2% |
最大電流 | 200mA |
容 量 | 1500VA |
5 | 自激電源 | AC 0V∽50V/15A | 45HZ/55HZ 55HZ/65HZ |
6 | 分 辨 率 | tgδ: 0.001% | Cx: 0.01pF |
7 | 精 度 | △tgδ:±(讀數(shù)*1.0%+0.040%) |
△C x :±(讀數(shù)*1.0%+1.00PF) |
8 | 測(cè)量范圍 | tgδ | 無(wú)限制 |
C x | 15pF < Cx < 300nF |
| 10KV | Cx < 40 nF |
| 5KV | Cx < 150 nF |
| 1KV | Cx < 300 nF |
CVT測(cè)試 | Cx < 300 nF |
10 | 外型尺寸 | 430(L)×330(W)×330(H) |
11 | 存儲(chǔ)器大小 | 200 組 |
12 | 重 量 |
介損測(cè)試儀種類
【性能特點(diǎn)】◆PX3001智能化介質(zhì)損耗測(cè)試儀具有多種測(cè)量方式,可選擇正/反接線、內(nèi)外標(biāo)準(zhǔn)電容器、CVT測(cè)量(無(wú)需外接升壓器,儀器內(nèi)自帶電源)、內(nèi)/外試驗(yàn)電壓進(jìn)行測(cè)量。可C1/C2同時(shí)測(cè)量。◆測(cè)量精確、重復(fù)性好:儀器具有很高有測(cè)試進(jìn)度,介損測(cè)試的基本誤差小于0.0005并且測(cè)試數(shù)據(jù)重復(fù)性極好。◆高壓短路和突然斷電時(shí),食品能迅速切斷高壓,并發(fā)出警告信息。◆高壓輸出插痤,無(wú)外露,安全可靠◆高壓絕緣導(dǎo)線:高壓導(dǎo)線的絕緣程度不僅涉及到安全性,而且其對(duì)地泄漏直接影響到反接測(cè)試的準(zhǔn)確度。本儀器高壓輸出導(dǎo)線采用特殊材料專門制作,能直接拖地使用。10KV輸出時(shí),對(duì)地?zé)o放電、無(wú)泄漏、無(wú)聲響。◆大屏幕中文提示操作,RS232微機(jī)接口。儀器自帶打印機(jī),及時(shí)打印測(cè)試數(shù)據(jù)。◆抗能性能儀器采用獨(dú)特抗震設(shè)計(jì),可耐震,不損壞。◆攜帶方便:該儀器體積約為同類產(chǎn)品的70%,攜帶十分方便。【技術(shù)指標(biāo)】1、環(huán)境溫度:-5 ~40℃(液晶屏應(yīng)避免長(zhǎng)時(shí)日照)2、相對(duì)濕度:30%~70%3、供電電源:電壓:220V±10%、頻率:50±1Hz4、外形尺寸:長(zhǎng)×寬×高 500mm×300mm×400mm5、重量:約18Kg6、輸出功率:0.6KVA7、顯示分辯率:3位、4位(內(nèi)部全是6位)8、測(cè)量范圍及輸出電壓選擇:◇介質(zhì)損耗(tgδ):±0.00~±999%◇試品電容容量(Cx)和加載電壓:2.5KV檔:≤300nF(300000pF) 3KV檔:≤200nF(200000pF)5KV檔:≤76nF(76000pF) 7.5KV檔:≤34nF(34000pF)10KV檔:≤20nF(20000pF)9、基本測(cè)量誤差:◇介質(zhì)損耗(tgδ):1%±7個(gè)字(加載電流20uA~500mA)◇介質(zhì)損耗(tgδ):2%±9個(gè)字(加載電流5uA~20uA)◇電容容量(Cx):1.5%±1.5pF【注意事項(xiàng)】1.接線后,必須注意檢查接線是否正確、牢固,試驗(yàn)時(shí)由于高壓線拖地或測(cè)量線未接牢固時(shí)引起打火,均可能損壞儀器。2.正接法測(cè)量時(shí),若高壓線拖地或被試品閃絡(luò),儀器會(huì)由內(nèi)部自動(dòng)電源短路保護(hù),此時(shí)會(huì)燒壞保險(xiǎn)后,仍可正常工作。3.確認(rèn)接線無(wú)誤后,請(qǐng)遠(yuǎn)離高壓接線端,然后開啟電源,按菜單提示進(jìn)行操作。測(cè)量完畢后,儀器顯示測(cè)量結(jié)果,并作存儲(chǔ),發(fā)出三聲“嘀”音。如果做正接法時(shí) 錯(cuò)選成反接法,其結(jié)果為無(wú)數(shù)據(jù)或很低的數(shù)據(jù),反之如果做反接法時(shí),錯(cuò)選成正接法,結(jié)果同上!!均有可能損壞儀器!!做正接法或反接法時(shí),均需將短接插頭插 入HV1和HV2,否則如果不插上時(shí),將無(wú)高壓輸出。做“CVT“時(shí),從專用插座內(nèi)取電壓送至CVT之前,必須將HV1和HV2的短接插頭去除,否則HV 插座上將帶用高壓,會(huì)造成安全事故!!4.嚴(yán)格按照《電業(yè)操作規(guī)程》要求,升壓時(shí)請(qǐng)遠(yuǎn)離高壓接線端。
介損測(cè)試儀描述
介質(zhì)損耗測(cè)試儀是一種先進(jìn)的測(cè)量介質(zhì)損耗(tgδ)和電容容量(Cx)的儀器,用于工頻高壓下,測(cè)量各種絕緣材料、絕緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設(shè)備的介質(zhì)損耗,(tgδ)和電容容量(Cx)它淘汰了 QS 高壓電橋,具有操作簡(jiǎn)單、中文顯示、打印、使用方便、無(wú)需換算、自帶高壓、抗干擾能力強(qiáng)、測(cè)試時(shí)間(在國(guó)內(nèi)同類產(chǎn)品中速度最快)等特點(diǎn)。體積小、重量輕是我公司的第二代抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀。介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo) 1、環(huán)境溫度:0 ~ 40℃(液晶屏應(yīng)避免長(zhǎng)時(shí)日照) 2、相對(duì)濕度:30% ~ 70% 3、供電電源:電壓:220V±10%、頻率:50±1Hz 4、外形尺寸:長(zhǎng)×寬×高 500mm×300mm×400mm 5、重量: 約18Kg 6、輸出功率:0.6KVA 7、顯示分辯率:3位、4位(內(nèi)部全是6位) 8、測(cè)量范圍及輸出電壓選擇: 介質(zhì)損耗(tgδ):±0.00~±999% 試品電容容量(Cx)和加載電壓: 2.5KV檔:≤300nF(300000pF) 3KV檔:≤200nF(200000pF) 5KV檔:≤76nF(76000pF) 7.5KV檔:≤34nF(34000pF) 10KV檔:≤20nF(20000pF) 9、基本測(cè)量誤差: 介質(zhì)損耗(tgδ):1%±7個(gè)字(加載電流20uA~500mA) 介質(zhì)損耗(tgδ):2%±9個(gè)字(加載電流5uA~20uA) 電容容量(Cx):1.5%±1.5pF