Anric原子層沉積系統(tǒng),AT-410AtomicLayerDepositionSystem
Anric原子層沉積系統(tǒng),AT-410AtomicLayerDepositionSystem
產(chǎn)品價(jià)格:¥100.00(人民幣)
  • 規(guī)格:完善
  • 發(fā)貨地:湖北武漢
  • 品牌:
  • 最小起訂量:1
  • 免費(fèi)會(huì)員
    會(huì)員級(jí)別:試用會(huì)員
    認(rèn)證類型:企業(yè)認(rèn)證
    企業(yè)證件:通過認(rèn)證
    認(rèn)證信息:武漢邁可諾科技有限公司

    商鋪名稱:武漢邁可諾科技有限公司

    聯(lián)系人:趙經(jīng)理(先生)

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    郵編:430000

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    商品詳情
      產(chǎn)品參數(shù)
      品牌美國Anric
      前級(jí)泵10L/min
      加熱方式普通標(biāo)準(zhǔn)加熱
      外形尺寸桌面式
      外包材質(zhì)紙盒
      基準(zhǔn)溫度25℃
      漏率小于1.0E-8Pa.m3/s
      發(fā)貨地武漢
      產(chǎn)地美國(原裝進(jìn)口)
      起訂量1套起批
      可售賣地全國
      型號(hào)AT-410

      概括

      原子層沉積(Atomic layer deposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍?cè)诨妆砻娴姆椒āT訉映练e與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中,新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的,這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子。



      應(yīng)用領(lǐng)域

      原子層沉積技術(shù)由于其沉積參數(shù)的高度可控型(厚度,成份和結(jié)構(gòu)),優(yōu)異的沉積均勻性和*性使得其在微納電子和納米材料等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。該技術(shù)應(yīng)用的主要領(lǐng)域包括:

      1)?晶體管柵極介電層(high-k)和金屬柵電極(metal gate)

      2)?微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)

      3)?光電子材料和器件

      4)?集成電路互連線擴(kuò)散阻擋層

      5)?平板顯示器(有機(jī)光發(fā)射二極管材料,OLED)

      6)?互連線勢(shì)壘層

      7)?互連線銅電鍍沉積籽晶層(Seed layer)

      8)?DRAM、MRAM介電層

      9)?嵌入式電容

      10)?電磁記錄磁頭

      11)?各類薄膜 lt;100nm)


      技術(shù)參數(shù):

      基片尺寸:4英寸、6英寸;

      加熱溫度:25℃~350℃;

      溫度均勻性:±1℃;

      前體溫度范圍:從室溫至150℃,±2℃;可選擇加熱套;

      前驅(qū)體數(shù):一次同時(shí)可處理多達(dá)?5?個(gè)?ALD?前體源;

      PLC?控制系統(tǒng):7英寸16?位彩色觸摸屏HMI控制;

      模擬壓力控制器:用于快速壓力檢測(cè)和脈沖監(jiān)測(cè)

      樣品上載:將樣品夾具從邊上拉出即可;

      壓力控制裝置:壓力控制范圍從0.1~1.5Torr

      兩個(gè)氧化劑/還原劑源,如水,氧氣或氨氣;

      在樣品上沒有大氣污染物,因?yàn)樵诔练e區(qū)的附近或上游處無?Elestamor O?型圈出現(xiàn);

      氧化鋁催化劑處理能力:6-10?次/分鐘或高達(dá)?1.2?納米/?分鐘(同類zui佳)

      高縱橫比沉積,具有良好的共形性

      曝光控制,用于在?3D?結(jié)構(gòu)上實(shí)現(xiàn)所需的共形性;

      預(yù)置有經(jīng)驗(yàn)證過的?3D?和?2D?沉積的優(yōu)化配方;

      簡(jiǎn)單便捷的系統(tǒng)維護(hù)及安全聯(lián)鎖;

      目前市面上占地zui小,可兼容各類潔凈室要求的系統(tǒng);

      可以為非標(biāo)準(zhǔn)樣品而訂制的夾具,如?SEM / TEM?短截線


      原子層沉積ALD的應(yīng)用包括:

      1) High-K介電材料?(Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3);

      2)導(dǎo)電門電極?(Ir, Pt, Ru, TiN);

      3)金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu)?(Cu, WN, TaN,Ru, Ir);

      4)催化材料?(Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5);

      5)納米結(jié)構(gòu)?(All ALD Material);

      6)生物醫(yī)學(xué)涂層?(TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN);

      7) ALD金屬?(Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni);

      8)壓電層?(ZnO, AlN, ZnS);

      9)透明電學(xué)導(dǎo)體?(ZnO:Al, ITO);

      10)紫外阻擋層?(ZnO, TiO2);

      11) OLED鈍化層?(Al2O3);

      12)光子晶體?(ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);

      13)防反射濾光片?(Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5);

      14)電致發(fā)光器件?(SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);

      15)工藝層如蝕刻?hào)艡凇㈦x子擴(kuò)散柵欄等?(Al2O3, ZrO2);

      16)光學(xué)應(yīng)用如太陽能電池、激光器、光學(xué)涂層、納米光子等?(AlTiO, SnO2, ZnO);

      17)傳感器?(SnO2, Ta2O5);

      18)磨損潤(rùn)滑劑、腐蝕阻擋層?(Al2O3, ZrO2, WS2);


      目前可以沉積的材料包括:

      1)氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2

      2)氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ?

      3)氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2,

      4)金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ?

      5)碳化物: TiC, NbC, TaC, ?

      6)復(fù)合結(jié)構(gòu)材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ?

      7)硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS,




      邁可諾技術(shù)有限公司

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