一、濕法腐蝕機(jī)用途和特點(diǎn)：

1、 用途：主要用微細(xì)加工、半導(dǎo)體、微電子、光電子和納米技術(shù)工藝中在硅片、陶瓷片上顯影，濕法腐蝕，清洗，沖洗，甩干與光刻、烘烤等設(shè)備配合使用。設(shè)備能滿足各類以下尺寸的基片處理要求，并配制相應(yīng)的托盤夾具。

2、濕法腐蝕機(jī)特點(diǎn)：

（1）外觀整潔、美觀，占地面積小，節(jié)省超凈間的使用面積；

（2）VoD頂蓋閥門控制技術(shù) 避免二次污染；

（3）顯影腐蝕液獨(dú)立的試劑供給管路；

（4）處理腔內(nèi)差壓精準(zhǔn)控制；

（5）滿足2英寸~12英寸的防腐托盤；

（6）試劑注射角度可調(diào)節(jié)；

（7）獨(dú)特設(shè)計(jì)的“腔洗”構(gòu)造，保證“干進(jìn)干出”；

（8） 濕法腐蝕機(jī)具備高性能、低故障率、長使用壽命、易操作維修、造型美觀、售后服務(wù)完備。

二、濕法腐蝕機(jī)主要性能指標(biāo)：
1. 系統(tǒng)概述

1.1智能嵌鎖，系統(tǒng)蓋板具有智能嵌鎖裝置，確保操作安全；

1.2保護(hù)氣體，CDA（清潔干燥氣體）/氮?dú)猓∟2）,氣壓60~70PSI；

1.3通信接口，藍(lán)牙連接；

?

2. ?基片及處理方式

2.1 基片尺寸滿足直徑300mm以內(nèi)基底材料；

2.2 基片處理方式，手動(dòng)上下載；

?

3. 控制系統(tǒng)

3.1 用戶界面，650高精度數(shù)顯屏/基于Windows的SPIN3000操作軟件；

3.2 最大可存儲20個(gè)程序段；

3.3 最大51 驟工藝步驟；

3.4時(shí)間設(shè)定范圍，0.1S~99Min59.9S（最小增量0.1 S）；

3.5最大旋轉(zhuǎn)速度，3,000 rpm，±0.5 rpm (帶安全罩)；

3.6馬達(dá)加速度，1–12,000 rpm/s；

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4. 試劑分配系統(tǒng)

4.1 化學(xué)試劑分配

4.1.1 ?A標(biāo)準(zhǔn)腔洗 Bowl Wash ?1路純水和1路氮?dú)猓?/p>

4.1.2 ?B 背部清洗 Back Riser 1路純水；

4.1.3 ?C 樣片沖洗甩干 1路純水和1路氮?dú)猓?/p>

4.1.4 ?D 自定義化學(xué)試劑可同時(shí)接入（根據(jù)用戶應(yīng)用選擇幾路液體）自定義的化學(xué)試劑（顯影液/腐蝕液/其他清洗液）；

4.2試劑供給方式

*4.2.1 ?A 系統(tǒng)所需純水和氮?dú)庖约皦嚎s氣體（可用氮?dú)馓娲�）由�?shí)驗(yàn)室自行供應(yīng)；

4.2.2 ?B 自定義化學(xué)試劑由氣動(dòng)泵浦BP和壓力容器供給；

4.3 注射裝置采用日本原裝進(jìn)口霧的池內(nèi)專用噴嘴；

?三、適用工藝（包括但不限于下述濕法制程）

光刻膠顯影（KrF/ArF）

SU8厚膠顯影

顯影后清洗

PostCMP清洗

光罩去膠清洗

光刻膠去除

金屬Lift-off處理

刻蝕微刻蝕處理

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