.jpg "100V\/108A低內(nèi)阻DFN5*6MOS低電壓開(kāi)啟推薦JMSL1006AG使用于同步整流應(yīng)用")
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| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 100V/108A低內(nèi)阻DFN5*6MOS 低電壓開(kāi)啟推薦JMSL1006AG使用于同步整流應(yīng)用 品牌 | 捷捷微 | ||
| 封裝 | PDFN5x6 | ||
| 批號(hào) | 2310 | ||
| 數(shù)量 | 182580 | ||
| VDS | 100V | ||
| ID | 108A | ||
| RDSon | 4.7mΩ | ||
| CISS | 2604PF | ||
| Vgs th | 1.2-2.5V | ||
| 可售賣(mài)地 | 全國(guó) | ||
| 型號(hào) | JMSL1006AG | ||
?快充 (兼容標(biāo)準(zhǔn)和私有協(xié)議) 充電器
輸出功率從 18W 到 100W (甚至 120W 或更大) 、支持快充協(xié)議 (USB PD3.0/3.1, USB BC1.2, UFCS T/TAF 083-2022, Qualcomm QCxx, MediaTek PExxx、Huawei S/FCP, Oppo D/FCP, Samsung AFC, Apple 2.4A, …)、配置一個(gè)或多個(gè) USB Type-A 及 Type-C 輸出接口的快充充電器日益普遍。它們可以一物多用，同時(shí)為智能手機(jī)、平板、智能手表及筆記本電腦等萬(wàn)物互聯(lián)數(shù)字化終端里面的鋰電池快速充電。采用第三代半導(dǎo)體功率器件（氮化鎵 D/E-mode HEMT）的設(shè)計(jì)，體積小巧以及使用時(shí)溫度不會(huì)燙手，由于因近年多家世界排名前列的智能手機(jī) OEM 不把充電器隨著新款手機(jī)一起標(biāo)配而形成曲棍球棒效應(yīng)，使得這類(lèi)小巧的快充充電器成為市場(chǎng)主流。
市場(chǎng)上的快充充電器，常用的交直流電源轉(zhuǎn)換拓?fù)涫?Flyback 及 LLC。Flyback 拓?fù)涑Ｒ?jiàn)于功率比較小的設(shè)計(jì)，LLC 拓?fù)鋭t常見(jiàn)于功率較大及對(duì)交直流電源轉(zhuǎn)換效率要求較高的設(shè)計(jì)。因?yàn)?BOM 相對(duì) LLC 拓?fù)浔容^簡(jiǎn)單，ACF-Flyback 拓?fù)湟查_(kāi)始被中/小功率的設(shè)計(jì)采用，特別是初級(jí)使用高壓氮化鎵 HEMT 的設(shè)計(jì)。無(wú)論是那種拓?fù)洌斐涑潆娖鞯膬?nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖大概如上：
針對(duì)快充充電器的成用，捷捷微電 能提供完整的分立器件解決方案。比如，AC 輸入端防浪涌的 MOV、TVS、鉗制變壓器漏感而對(duì)原邊的高壓 MOSFETs VDS_Max?產(chǎn)生過(guò)壓的快恢復(fù)整流管、原邊 PFC (75W 以上的設(shè)計(jì)) 和匹配 PWM 的高壓 MOSFET、副邊同步整流中/低壓 MOSFETs、USB Type-A 及Type-C 端口的低壓 MOSFETs 及 ESD 保護(hù)等。
不論在原邊使用的是傳統(tǒng)的超結(jié)高壓 MOSFET、或是日益受電路設(shè)計(jì)工程師及消費(fèi)者追捧的氮化鎵 D/E-mode HEMT，在拓?fù)涞母边叄萁菸㈦娤冗M(jìn) JHFET??技術(shù)平臺(tái)超結(jié) (super-junction) 的高壓 MOSFETs 在原邊開(kāi)關(guān)、先進(jìn) JSFET??技術(shù)平臺(tái)的中/低壓 MOSFETs 在同步整流和在 USB-C??端口電流輸出開(kāi)關(guān)等位置，都能提供穩(wěn)定可靠而高功效的運(yùn)作。
建立在 JHFET 技術(shù)平臺(tái)的 650VDS_Max?SJ N-MOSFETs，導(dǎo)通阻抗 RDS(ON)?低至 169mΩ、Qg?低至 9.7nC、Ciss?低至 333pF，所有產(chǎn)品均百分百通過(guò) UIS 測(cè)試。建立在 JSFET 技術(shù)平臺(tái)的 30 ~ 150 VDS_Max?SGT N-MOSFETs，導(dǎo)通阻抗 RDS(ON)?低至 1.2mΩ、Qg?低至 7.7nC、FOM 低至 47，所有產(chǎn)品均百分百通過(guò) UIS 測(cè)試。憑借極低的 Ciss、Coss、Crss、Qg、和卓越的安全操作區(qū)域 (SOA) 等，這些功率器件能更有效地解決在終端應(yīng)用中存在的 軟/硬開(kāi)關(guān)、電感負(fù)載、EMI 等難題。能夠有如此突出的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電氣特性，是因?yàn)榻萁菸㈦姷淖杂兄R(shí)產(chǎn)權(quán) JSFET 及 JHFET 技術(shù)平臺(tái)，各項(xiàng)工藝參數(shù)早已躋身國(guó)際一流水平。
原邊 PFC 及 PWM 高壓 MOSFET 產(chǎn)品推薦
同步整流 中壓 MOSFET 產(chǎn)品推薦
VBUS?DFP 輸出端 低/中壓 MOSFET 產(chǎn)品推薦
目前捷捷微電主要聚焦在消費(fèi)類(lèi)、電腦及周邊、工業(yè)用、通信用、及車(chē)用等的終端市場(chǎng)。因?yàn)樯钪a(chǎn)品必需跟應(yīng)用掛鉤，捷捷微電一直努力貼近市場(chǎng)和客戶(hù)，清楚認(rèn)識(shí)那些 JSFET 及 JHFET 的參數(shù)和特性，能讓客戶(hù)的產(chǎn)品兼具高能效和長(zhǎng)期可靠性，同時(shí)又保持高性?xún)r(jià)比。消費(fèi)者對(duì)體積和重量的不斷追求，因而移動(dòng) 3C (computing, communications, consumer electronics) 終端的充電器越來(lái)越短小，有限的內(nèi)殼空間使工作溫度升高，造成充電器內(nèi)部所用器件的穩(wěn)定性和效能方面的要求極為嚴(yán)苛。JSFET 及 JHFET輕松解決了電路設(shè)計(jì)工程師所面臨，合理成本和高電源轉(zhuǎn)換效率這兩個(gè)衝突的難題。JSFET 及 JHFET 采用先進(jìn)封裝如 PDFN3x3 / 5x6、TO-220 / 247 / 251 / 252 / 263、SOP-8 等，優(yōu)化的框架和引接工藝不僅有效地増強(qiáng)熱應(yīng)力處理、低降熱阻，同時(shí)也提升質(zhì)量和可靠性，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)且不含鹵素。
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捷捷微SGT mos推薦
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JMGE540P10A TO-263-3L?
JMGK540P10A TO-252-3L?
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