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人們已經發現SnO2、ZnO、Fe2O3、Cr2O3、MgO、NiO2等材料都存在氣敏效應。用這些金屬氧物制成的氣敏薄膜是一種阻抗器件,氣體分子和敏感膜之間能交換離子,發生還原反應,引起敏感膜電阻的變。作為傳感器還要求這種反應必須是可逆的,即為了消除氣體分子還必須發生一次氧反應。傳感器內的加熱器有助于氧反應進程。
氣敏二極管的特性曲線左移可以看作二極管導通電壓發生改變,這一特性如果發生在場效應管的柵極,將使場效應管的閾值電壓UT改變。利用這一原理可以制成MOSFET型氣敏器件。 氫氣敏MOSFET是一種最典型的氣敏器件,它用金屬鈀(Pd)制成鈀柵。在含有氫氣的氣氛中,由于鈀的催作用,氫氣分子分解成氫原子擴散到鈀與二氧硅的界面,最終導致MOSFET的閾值電壓UT發生變。使用時常將柵漏短接,可以MOSFET工作在飽和區,此時的漏極電流ID=β(UGS—UT)2,利用這一電路可以測出氫氣的濃度。
根據單一的紅外吸收峰位置只能判定氣體分子中有什么基團,精確判定氣體種類需要看氣體在中紅外區所有的吸收峰位置即氣體的紅外吸收指紋。但在已知環境條件下,根據單一紅外吸收峰的位置可以大致判定氣體的種類。由于在零下273攝氏度即絕對零度以上的一切物質都會產生紅外幅射,紅外幅射與溫度正相關,因此,同催元件一樣,為消除環境溫度變引起的紅外幅射的變,紅外氣體傳感器中會由一對紅外構成。 一個完整的紅外氣體傳感器由紅外光源、光學腔體、紅外和信號調理電路構成。