陶瓷電路板陶瓷基板金屬化基板擁有良好的熱學和電學性能，是功率型LED封裝、紫光、紫外的極合適材料，特別適用于多芯片封裝(MCM)和基板直接鍵合芯片(COB)等的封裝結構。

一、陶瓷材料的比較

1.塑料和陶瓷材料的比較以環氧樹脂為代表的塑料材料具有經濟性特點，在電子市場的應用非常廣泛，然而隨著社會進步對許多特殊領域如高溫、線膨脹系數、氣密性、穩定性、機械性能等方面要求的提高，塑料材料無法滿足新的市場要求。陶瓷材料以其電阻高，高頻特性突出，且具有熱導率高、化學穩定性佳、熱穩定性等優點，被廣泛用于不同厚膜、薄膜或和電路的基板材料，還可以用作絕緣體，在熱性能要求苛刻的電路中做導熱通路以及用來制造各種電子元件。

2.氮化鋁與氧化鋁陶瓷基板的比較氮化鋁陶瓷基板具有兩大優點，一個是高的熱導率，二是與硅相匹配的膨脹系數。缺點在于氧化層會對熱導率產生影響，對材料和工藝的要求較高。目前我國對大規模的氮化鋁生產技術不夠成熟，價格也比氧化鋁高。氧化鋁陶瓷基板是電子工業中最常用的基板材料，因為在機械、熱、電性能上相對于大多數其他氧化物陶瓷，強度及化學穩定性高，且原料來源豐富，適用于各種各樣的技術制造以及不同的形狀。

二、基板種類及特性市面上陶瓷散熱基板種類大多分為HTCC、LTCC、DBC、DPC。

1.HTCC和LTCCHTCC屬于較早期發展的技術，但由于燒結溫度較高使其電極材料的選擇受限，且制作成本相對昂貴，這些因素促使LTCC的發展，LTCC雖然將共燒溫度降至約850℃，但具有尺寸精確度、產品強度等不易控制的缺點。

2.DBC和DPC直接敷銅（DirectBondedCopper，DBC）技術是主要是基于Al2O3陶瓷基板發展起來的陶瓷表面金屬化技術，后來又應用于AlN陶瓷。在大功率電力半導體模塊、太陽能電池板組件、汽車電子、航天航空及軍用電子組件、智能功率組件等領域獲得較為成功的應用。薄膜法（DPC）是微電子制造中進行金屬膜沉積的主要方法，主要用蒸發、磁控濺射等面沉積工藝進行基板表面金屬化，先是鈦，鉻然后再是銅顆粒，最后電鍍增厚，適用于絕大部分陶瓷基板。集成電路(IC)蝕刻制造工藝作為晶片級制造技術，能夠輕松完成高精度的微電子甚至納電子器件的制造。

三、斯利通陶瓷封裝基板較傳統基板的優勢

1.更高的熱導率熱導率代表了基板材料本身直接傳導熱能的一種能力，數值愈高代表其散熱能力愈好。傳統的金屬基板具有較好的熱導率，但因金屬的導電性需要絕緣層，而絕緣層的導熱率只有1.0W/m.K.左右，大大影響了總體的熱導率。陶瓷基板具有絕緣性，無需使用絕緣層，熱導率整體很高。

2.更匹配的熱膨脹系數正常開燈時溫度高達80℃~90℃，溫度承受不住會導致焊接不牢。一般的燈是0.1w，0.3w，0.5w，對于1w，3w，5w，的燈時，PVC承受不住。陶瓷和芯片的熱膨脹系數接近，不會在溫差劇變時產生太大變形導致線路脫焊，內應力等問題。

3.導電層厚度在1μm～1mm內任意定制傳統的DBC技術只能制造100μm～600μm厚的導電層；傳統的DBC技術做﹤100μm時生產溫度太高會融化，做﹥600μm時銅層太厚，銅會流下去導致產品邊緣模糊。DPC技術國內能做到300um就很不錯了。斯利通的導電層厚度在1μm～1mm內任意定制，精度很準。

4.高密度組裝傳統厚膜技術大L/S分辨率僅100μm，耐焊性差，鋁-錳法大L/S分辨率僅100μm，且Mo、Mn本身導電性并不好。斯利通可以達到20μm，從而實現設備的短、小、輕、薄化。

5.三維基板、三維布線三維基板、三維布線是斯利通產品的獨特技術，其他的各種工藝都不能做到在三維陶瓷上做線路，而且蝕刻更困難，斯利通的工藝可以省略這些，市場獨有。