PM25CS1D120? IGBT模塊高壓IGBT電子元器件日本三菱全新原裝
PM25CS1D120? IGBT模塊高壓IGBT電子元器件日本三菱全新原裝
產(chǎn)品價(jià)格:¥1000(人民幣)
  • 規(guī)格:PM25CS1D120
  • 發(fā)貨地:江蘇蘇州
  • 品牌:
  • 最小起訂量:1個(gè)
  • 誠(chéng)信商家
    會(huì)員級(jí)別:鉆石會(huì)員
    認(rèn)證類(lèi)型:企業(yè)認(rèn)證
    企業(yè)證件:通過(guò)認(rèn)證

    商鋪名稱(chēng):上海萱鴻電子科技有限公司

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    商品詳情
      產(chǎn)品參數(shù)
      型號(hào)CM75DY-28H
      材質(zhì)
      批號(hào)22
      輸入電壓1200V
      輸出電流400A
      用途電源模塊
      是否進(jìn)口
      封裝標(biāo)準(zhǔn)封裝
      加工定制
      工作環(huán)境室內(nèi)式
      數(shù)量999
      品牌三菱

        上海萱鴻電子提供巴斯曼Bussmann、英飛凌infineon、西門(mén)康、西門(mén)子Siemens、三社、艾賽斯、日之出、富士等廠家熔斷器、可控硅模塊、晶閘管、IGBT模塊、二極管整流橋的半島體模塊,咨詢(xún)熱線(xiàn):。

        三菱系列:

        1 IGBT額定電壓的選擇

        三相380V輸入電壓經(jīng)過(guò)整流和濾波后,直流電壓的值:

        在開(kāi)關(guān)工作的條件下,fGBT的額定電壓一般要求高于直流母線(xiàn)電壓的兩倍,根據(jù)IGBT規(guī)格的電壓等級(jí),選擇1 電壓等級(jí)的IGBT。

        2 IGBT額定電流的選擇

        以30kW器為例,負(fù)載電流約為79A,由于負(fù)載電氣啟動(dòng)或加速時(shí),電流過(guò)載,一般要求1分鐘的時(shí)間內(nèi),承受1.5倍的過(guò)流,擇負(fù)載電流約為 ,建議選擇電流等級(jí)的IGBT。

        3 IGBT開(kāi)關(guān)參數(shù)的選擇

        的開(kāi)關(guān)頻率一般小于10 kH Z,而在實(shí)際工作的過(guò)程中,fGBT的通態(tài)損耗所占比重比較大,建議選擇低通態(tài)型IGBT,以30 kW ,逆變頻率小于10kH z的變頻器為例,選擇IGBT的開(kāi)關(guān)參數(shù)見(jiàn)表1。

        4 影響IGBT可靠性因素

        1)柵電壓。

        IGBT工作時(shí),必須有正向柵電壓,常用的柵驅(qū)動(dòng)電壓值為15~187,用到20V, 而棚電壓與柵極Rg有很大關(guān)系,在設(shè)計(jì)IGBT驅(qū)動(dòng)電路時(shí), 參考IGBT Datasheet中的額定Rg值,設(shè)計(jì)合適驅(qū)動(dòng)參數(shù),保證合理正向柵電壓。因?yàn)镮GBT的工作狀態(tài)與正向棚電壓有很大關(guān)系,正向柵電壓越高,開(kāi)通損耗越小,正向壓降也咯小。

        在橋式電路和大功率應(yīng)用情況下,為了避免干擾,在IGBT關(guān)斷時(shí),柵極加負(fù)電壓,一般在-5- 15V,保證IGBT的關(guān)斷,避免Miller效應(yīng)影響。

        2)Miller效應(yīng)。

        為了降低Miller效應(yīng)的影響,在IGBT柵驅(qū)動(dòng)電路中采用改進(jìn)措施:(1)開(kāi)通和關(guān)斷采用不同柵電阻Rg,on和Rg,off,確保IGBT的有效開(kāi)通和關(guān)斷;(2)柵源間加c,對(duì)Miller效應(yīng)產(chǎn)生的電壓進(jìn)行能量泄放;(3)關(guān)斷時(shí)加負(fù)柵壓。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,采用三者合理組合,對(duì)改進(jìn)Mille r效應(yīng)的效果更佳。

        5 結(jié)束語(yǔ)

        (1)IGBT是逆變器主要使用的主要功率開(kāi)關(guān)器件,也是逆變器中主要工作器件,合理選擇IGBT是保證IGBT可靠工作的前提,同時(shí),要根據(jù)三相逆變電路結(jié)構(gòu)的特點(diǎn),選擇低通態(tài)型IGBT為佳。

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