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南麟NP3415 p 溝道增強(qiáng)型MOSFET
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描述 NP3415E采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 為了提供出色的RDS(ON)、低柵極電荷和 以低至1.8V的柵極電壓工作。這 器件適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或用于PWM 應(yīng)用程序。 一般特征 ? VDS =-20V，ID =-4A RDS(開(kāi))(典型值。)= 42mω@ VGS =-2.5V RDS(開(kāi))(典型值。)= 38.3mω@ VGS =-4.5V ?高功率和電流處理能力 收購(gòu)?無(wú)鉛產(chǎn)品 ?表面貼裝封裝 ? ESD額定值:2500伏HBM 應(yīng)用 ? PWM應(yīng)用 ?負(fù)荷開(kāi)關(guān)
