焊接的碳化硅功率模塊在單個封裝內集成有兩個碳化硅晶體管并在150A/1200V額定電流/電壓下實現6 mΩ導通電阻。與傳統碳化硅功率模塊相比，此功率模塊的總體積減少了三分之一。SiC DioMOS(集成二極管的MOSFET)具有反向導電二極管的特性，這些特性再加上該產品良好的可靠性，實現了非常緊湊而高效的功率轉換系統。 歡迎致電我司合作三社功率半導體模塊。