.jpg "IXFN120N65X2艾賽斯IXYS代理分銷元器件IGBT模塊品牌介紹")
商鋪名稱：蘇州新電元半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系人：林小玉（小姐）
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| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 艾賽斯 | ||
| 批號 | 23 | ||
| 數(shù)量 | 2055 | ||
| 制造商 | IXYS | ||
| 產(chǎn)品種類 | 分立半導(dǎo)體模塊 | ||
| RoHS | 是 | ||
| Vgs - 柵極-源極電壓 | - 30 V | ||
| 30 V | |||
| 安裝風(fēng)格 | Screw Mounts | ||
| 封裝 / 箱體 | SOT-227-4 | ||
| 最小工作溫度 | - 55 C | ||
| 最大工作溫度 | 150 C | ||
| 系列 | 650V Ultra Junction X2 | ||
| 配置 | Single | ||
| 下降時間 | 12 ns | ||
| Id-連續(xù)漏極電流 | 108 A | ||
| 通道數(shù)量 | 1 Channel | ||
| Pd-功率耗散 | 890 W | ||
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻 | 24 mOhms | ||
| 上升時間 | 23 ns | ||
| 晶體管極性 | 86 ns | ||
| 典型關(guān)閉延遲時間 | 64 ns | ||
| 典型接通延遲時間 | 650 V | ||
| Vds-漏源極擊穿電壓 | 2.7 V | ||
| Vgs th-柵源極閾值電壓 | 30 g | ||
| 可售賣地 | 全國 | ||
| 型號 | IXFN120N65X2 | ||
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