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這種電噪聲更低的改進措施只有在高端音頻應(yīng)用中才干體現(xiàn)其重要性。但是貼片電阻難以滿足目前最新的高速通信設(shè)備,過去。例如路由器、網(wǎng)橋和DSL調(diào)制解調(diào)器等對噪聲的要求。許多因素導(dǎo)致貼片電阻的噪聲更大,薄膜和厚膜技術(shù)最顯著的一個差異體現(xiàn)在激光修整特性上。一旦燒制勝利,厚膜材料的性狀實際上與玻璃類似。因此,隨著資料的冷卻,激光修整會在修整區(qū)域周圍形成許多細小的微裂痕。這些微裂痕是寄生電容和錯誤電流路徑的一種來源,所有這些都會固有地導(dǎo)致對高速通信信號的處置性能的下降。
浸鍍的維護性鈍化層的不重合也可能會使得硫污染的影響更為嚴重。這種情況下,知道。降低浸渡工藝的速度可以將這種效應(yīng)降至最低,但這樣做也會增加制造利息并降低制造產(chǎn)能。因為薄膜內(nèi)部端接不受硫污染的影響,所以這一工藝的精度并不重要。很明顯,就其內(nèi)部端接而言,貼片電容技術(shù)可以更好地抵抗硫污染。除此之外,采用薄膜技術(shù)的貼片電阻也具有整體穩(wěn)定性、更低的噪聲以及更低的寄生電容和電感(取決于電阻值)展示了罕見的貼片電阻,比貼片電阻有顯著的改善,特別是電阻值較大。
而無須犧牲功率處置能力。對于增強電流設(shè)計、減小未來設(shè)計的尺寸、產(chǎn)出更小的最終產(chǎn)品或在同尺寸產(chǎn)品中提供更多功能而言,薄膜技術(shù)以及厚膜技術(shù)的一項最新發(fā)展是給定的EIA 規(guī)范片狀貼片電阻尺寸上獲得了更高的額定功率(如表1所示)這一重要進步使得工程師能夠使設(shè)計小型化。這項突破都是至關(guān)重要的
供應(yīng)商需要對薄膜資料進行完全重新設(shè)計,影響薄膜技術(shù)批量應(yīng)用于貼片電阻制造的最重要因素是本錢。具有最差容差和貼片電阻的罕見價位要比最接近它厚膜同類產(chǎn)品高 10?100倍。為了減少這種差別。以滿足高速低成本生產(chǎn)的需要。還需要開發(fā)一種高速的內(nèi)聯(lián)式薄膜制造工藝。降低本錢的最后一步是將對薄膜材料的要求從高精度級別(0.1%容差和2510-6/℃的TCR放寬到商用、通用和商品級別(1%容差和 10010-6/℃的TCR這3項進步可以同時應(yīng)用于價格僅為罕見商品貼片電阻的10%?20%貼片電阻。那可能是所有發(fā)展中最引人注目的一項。
制造商通常會增加一層絕緣玻璃來穩(wěn)定激光修整。這一層包含微量的鉛,為了降低激光修整對厚膜元件的影響。而且人們深知它對于堅持貼片電阻臨時可靠性的重要性;鑒于其重要性,這種絕緣玻璃層目前屬于RoHS規(guī)范的豁免項目。但是這種豁免今后是會繼續(xù)存在抑或業(yè)界會要求使用一種不含鉛的激光修整穩(wěn)定的備選方法,前景尚不明朗。薄膜技術(shù)可以提供一種“更為綠色”或更為環(huán)保的貼片電阻,因為它不需要使用幾乎所有厚膜芯片都會用到含鉛玻璃。
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