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2MBI200S-120 IGBT模塊

2MBI200S-120 IGBT模塊

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規(guī)格：2MBI200S-120

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商品詳情

2MBI200S-120 IGBT模塊富士S系列
廠家：富士
型號：2MBI200S-120
電流電壓：200A 1200V

英特爾在芯片領(lǐng)域的創(chuàng)新和技術(shù)實力。但與英特爾占據(jù)優(yōu)勢的傳統(tǒng)PC市場不同，在智能手機(jī)市場，比拼的已不是單個芯片的性能和功耗，而是片上系統(tǒng)(SOc)的整合能力，這涉及到網(wǎng)絡(luò)、通信、圖形等多種應(yīng)用芯片的集成，而這些方面，英特爾顯然與高通存在著不小的差距。例如英特爾一直宣稱其在制程和架構(gòu)創(chuàng)新上的優(yōu)勢，但采用ARM指令集的高通在這兩個方面也不弱，例如目前基于ARM指令集的制程技術(shù)已進(jìn)入28納米，英特爾目前的主打產(chǎn)品還是32納米，而在架構(gòu)上，高通自己的Karit架構(gòu)也相當(dāng)優(yōu)秀，所以從整體看，英特爾要想在智能手機(jī)芯片市場與高通在高端爭奪的勝算不大。而從目前英特爾OEM伙伴發(fā)布的智能手機(jī)定位看，基本面向的是中低端市場，但這一市場的芯片廠商云集，競爭慘烈。

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