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上海伯東美國 KRi 考夫曼品牌 RF 射頻離子源, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標(biāo), 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積 和 IBD 離子束沉積是其典型的應(yīng)用.
KRi 離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應(yīng)用
通常安裝兩個離子源
主要濺射沉積源和二次預(yù)清潔 / 離子輔助源
一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應(yīng)性氣體
基板遠(yuǎn)離濺射目標(biāo)
工藝壓力在小于× 10-4 torr
離子源在離子束濺射沉積工藝過程:
上海伯東美國 KRi 射頻離子源優(yōu)勢
提供致密, 光滑, 無針孔, 耐用的薄膜
遠(yuǎn)離等離子體: 低基材溫度
不需要偏壓襯底
濺射任何材料, 不需要射頻濺射電源
非常適用于復(fù)雜, 精密的多層薄膜制備
清潔, 低污染工藝
沉積原子為堅硬, 耐用的薄膜保留濺射能量
離子能量, 離子電流密度的控制
優(yōu)良的反應(yīng)沉積工藝
美國 KRi RFICP 射頻離子源技術(shù)參數(shù)：
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型號 |
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Discharge 陽極 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
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離子束流 |
>100 mA |
>350 mA |
>600 mA |
>800 mA |
>1500 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
|
柵極直徑 |
4 cm Φ |
10 cm Φ |
14 cm Φ |
20 cm Φ |
30 cm Φ |
|
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
3-10 sccm |
5-30 sccm |
5-30 sccm |
10-40 sccm |
15-50 sccm |
|
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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|
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
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長度 |
12.7 cm |
23.5 cm |
24.6 cm |
30 cm |
39 cm |
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直徑 |
13.5 cm |
19.1 cm |
24.6 cm |
41 cm |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
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上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長! 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等. 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理.
上海伯東同時提供濺射沉積系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.
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