Clevios導電聚合物的涂覆

Clevios?分散體和配方可通過多種工藝進行涂覆或印刷，例如旋涂、狹縫涂布、噴涂、浸涂、凹版印刷、絲網印刷和噴墨打印

等。我們為某些工藝提供即用型油墨或漿料配方，同時我們的技術服務團隊能夠為其他需要進行產品改進的工藝提供支持。

在實驗室中，旋涂是將Clevios導電聚合物沉積為一道薄涂層的常見方式。接下來將對Clevios導電聚合物的旋涂工藝進行詳細介

紹:

通過旋涂工藝沉積到氧化銦錫(ITO)玻璃表面的Clevios?P導電聚合物涂層的厚度由以下幾個參數確定:

旋轉速度

加速度

旋轉時間

旋涂器的設計

基材尺寸和表面

■基材表面預處理的質量

氧化銦錫(ITO)玻璃的預處理對于Clevios?P導電聚合物能否在該基材表面均勻分散影響極大。因此，并沒有通用的規則來

確定旋轉速度與涂層厚度之間的關系。為了描繪出典型的旋轉-厚度示例曲線，我們將各種Clevios?P系列的導電聚合物旋涂

在涂有氧化銦錫(ITO)的玻璃基材表面。結果在旋涂機(帶3”Gyrset罩的Carl Suss®RC 8)上顯示。首先將尺寸為50 mmx

50 mm的涂有氧化銦錫(ITO)的玻璃基材采用濕洗法洗凈，然后將其表面置于紫外線/臭氧腔室中進行活化處理，時間為15

分鐘。通過Pasteur移液管將約1-2毫升的Clevios?P系列導電聚合物沉積到玻璃基材表面。進行旋涂工藝前，手動將該聚合物

分散體分散到整個基材表面。

旋涂工藝結束后，將濕膜置于加熱板上進行熱風烘烤。推薦的烘烤溫度和烘烤時間:Clevios?PAI4083、Clevios? P

CH8000等電子產品用導電聚合物及Clevios?HIL系列:在200℃的溫度下烘烤5分鐘;Clevios?PH 1000、Clevios? HIL-

E、Clevios?F ET或Clevios?HIL 8等高導電性產品:在130C的溫度下烘烤15分鐘。

其他提示:

如果Clevios? P分散體在涂覆過程中出現濕潤現象，可在其中加入不超過10%(重量比)的異丙醇。此外，加入表面

活性劑也能改善潤濕性，尤其是在疏水表面。

在OLED應用中，Clevios?P導電聚合物的涂層厚度通常在50-80nm之間。涂層厚度應通過實驗不斷進行優化，以實現

的透過率和成膜質量。如有需要，Clevios?HIL系列大多數產品都可提供n數據和k數據。

所有剩余/未使用的分散體在涂覆結束后都應倒出設備，以避免干燥后的分散體造成腐蝕和進一步的顆粒污染。

基材的處理

在沉積Clevios?導電聚合物前對基材進行的預處理

干凈、尤其是不含油脂的表面是確保Clevios?導電聚合物涂層均勻沉積在玻璃基材、透明氧化層(TCO)或塑料薄膜表面的先

決條件。

采用濕洗法清潔玻璃或TCO基材的步驟:

使用無絨紙巾和丙酮溶劑擦拭基材，以清除劃割時粘附的玻璃顆粒

?在60°℃的溫度下，將基材置于含普通玻璃清洗劑(如3%Mucasol®，德國Kalle公司)的去離子水中，使用超聲波清洗

10分鐘

。使用去離子水徹底沖洗

在60°℃的溫度下，將基材置于去離子水中，使用超聲波清洗10分鐘

使用去離子水徹底沖洗

將基材置于乙醇溶劑中，使用超聲波清洗5分鐘

?在40°C的溫度下，將基材置于丙酮溶劑中，使用超聲波清洗5分鐘

應重復以上清洗步驟直到基材表面不含任何渾濁雜質。用于清洗基板的所有溶劑都應符合PA質量。

通過等離子體、紫外線/臭氧或電暈放電工藝對表面進行活化處理，可以顯著改善Clevios?導電聚合物在玻璃、TCO和PET薄膜

等各種基材表面的水滴角。

使用去離子水徹底沖洗